第331章 流片成功！ (第2/2页)
【离子注入！关键参数来了！！！】
【我查了771所这批机器的资料——核心问题是束流电流太低导致注入时间过长，硅片在真空腔里受热不均匀！】
【解法很简单但很反直觉——把束流电流提上去！10mA！加速电压拉到50keV！让注入时间缩短，减少热积累！】
【最关键的一步：真空度！必须拉到10的负5次方帕斯卡！不然残余气体会和离子束发生散射，杂质分布肯定不均匀！】
【对！这台老机器的分子泵其实能达到这个真空度，但出厂预设太保守了，得手动调旁通阀把抽速拉满！】
林希睁开眼。
“苏师傅。”
苏佩兰回头。
“束流电流调到10毫安。”
“加速电压拉到50千电子伏特。”
苏佩兰愣了一下。
“电流10毫安？”
“这台机器设计上限才8……”
“旁通阀全开，把真空度拉到10的负5次方帕。”
林希的声音很稳，
“抽速够了以后，束流不会散。”
苏佩兰看了看旁边的王铁山。
王铁山沉默了几秒，走到机器后面。
蹲下去看了看分子泵的参数铭牌。
“能拉到。”
他直起腰，
“负5次方没问题，就是没人敢这么用。”
“那就用。”林希说。
王铁山没再犹豫。
他抱着扳手绕到机器背面，拧开旁通阀。
苏佩兰深吸一口气，坐回操作台。
束流电流：10mA。
加速电压：50keV。
真空度读数开始往下掉。
10的负3次方。
负4次方。
分子泵的声音变得尖锐。
负5次方。
稳住了。
“注入。”林希说。
苏佩兰按下启动键。
机器轰鸣声骤然变调，像一头沉睡的野兽被唤醒。
离子束击中硅片表面。
六十秒。
一百二十秒。
注入结束。
苏佩兰取出硅片，双手端着，走到显微镜前。
车间里所有人的呼吸都停了。
她把硅片放上载物台，调焦。
看了三秒。
又调了一下倍率。
再看了五秒。
她抬起头。
嘴唇哆嗦了两下。
“均匀的。”
她的声音带着哭腔。
“深度完全一致。”
王铁山冲过去，把她从椅子上挤开，自己趴到目镜上看。
看完，他直起腰，一屁股坐在了地上。
“成了。”
两个字。
直播间弹幕彻底爆炸。
【流片成功！！！华国硅基芯片流片成功了！！！】
【1983年！自主光刻机+自主离子注入！流片流程打通！】
【这帮老师傅是真的牛，参数给到位了，手上的活一点不含糊】
【哭了哭了，跪在地上画版图，趴在机器前调参数，这就是华国芯片的第一步】
林希站在车间中央。
周围是沸腾的欢呼声。
林希转头看向窗外。
七月底的津门，太阳正落。
晚霞把整个二厂的厂房染成暗红色。
司徒渊不知道什么时候走到他旁边。
两人并排站着，看着窗外。
“林总。”司徒渊开口。
“嗯。”
“流片成功了，但这只是工程样片。”
司徒渊推了推眼镜。
“量产之前，还差最后一步，”
“封装，测试。”